1803~2014，LED灯编年史

文章来源:恒光电器

发布时间:2013-12-06

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LED（全称：Light-Emitting Diode，发光二极管） 是一种能发光的半导体电子元件。这种电子元件早期只能发出低光度的红光，ROSH认证，之后发展出其他单色光的版本，时至今日能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。随着技术的不断进步，LED已被广泛的应用于显示器、电视机采光装饰和照明等领域。在市场需求与技术进步的推动之下，LED经历了一段辉煌的历史。在此，LEDinside小编与您共同回顾LED发展历程。

1907年，Henry Joseph Round发现作为研磨剂的碳化硅晶体（SiC）通电后可以发光的现象。这种现象被发现之后，人们就对SiC和Ⅱ-Ⅳ族化合物半导体的矿物质发光现象展开研究。

1936年， led商业照明，George Destiau出版了一个关于硫化锌粉未来发光的报告。随着研究的深入，最终出现了“电致发光”这个术语。

1952年，节能与环保，人工合成的Ge、Si 晶体的pn结发光诞生。1954年，LED天花灯，开始制作、研究GaP单晶和GaAs单晶的性能。

1955年，美国无线电公司（Radio Corporation of America）的鲁宾布朗石泰（Rubin Braunstein）首次发现了砷化镓（GaAs）及其他半导体合金的红外放射作用。

1962年，酒店led照明，GE、Monsanto、IBM 的联合实验室开发出了发红光的磷砷化镓（GaAsP）半导体化合物，从此可见发光二极管步入了商业化的发展历程。

1965年，全球第一款商业化发光二级管诞生，它是用锗材料做成的可发出红外光的LED，当时的单价约为45美元。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsp材料制作的商业化红色LED。这种LED的效率大约为0.1 lm/w，LED球泡灯，比一般的60-100w白织灯的15 lm/w要低100多倍。

1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺使GaAsP器件的效率达到了1 lm/w，并且能够发出红光、橙光和黄光。1971，业界又推出了具有相同效率的GaP绿色芯片LED。

1993年，在日本日亚化工（Nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，发明了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化稼（InGaN）的具有商业应用价值的蓝光LED，这类LED在1990年代后期得到广泛应用。

1997年，商业照明，Schlotter和Nakamura等人先后发明了用蓝光管芯加黄光荧光粉封装成白光LED的技术。

继氮化镓LED之后，科学界随即又制造出能产生高强度绿光和蓝光的铟氮镓LED。超亮度蓝光芯片是白光LED的核心，在这个发光芯片上抹上荧光粉，然后荧光粉通过吸收来自芯片的蓝色光源再转化为白光。利用这种技术能制造出任何可见颜色的光。

2001年，Kafmann等人用UV LED激发三基色荧光粉得到白光LED。

2002年，在市场上开始有5W的LED的出现，而其效率大约是每瓦18至22流明。

2003年9月，CREE, Inc.公司展示了其新款的蓝光LED，在20mW下效率达35%。他们亦制造了一款达65 lm/W（流明每瓦）的白光LED商品，这是当时市场上最亮的白光LED。2005年他们展示了一款白光LED原型，在350mW下，创下了每瓦70 lm 的记录性效率。

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