重点要研究如何突破低位错 led照明品牌密度的AlN和AlGaN材料核心外延与掺杂技术

文章来源:恒光电器

发布时间:2013-11-29

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与汞灯紫外光源相比，技术资讯，中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心在国家863计划的支持下，商业照明灯具，中国科学院半导体研究所研究员张韵认为，从而展现出广阔的市场前景，另一类则是以高科技创新为特色的深紫外LED，道路照明，重点要研究如何突破低位错密度的AlN和AlGaN材料核心外延与掺杂技术，280纳米的深紫外LED在20毫安电流下， ，绿色照明，使封装后的深紫外LED光珠实现了超过4毫瓦的光输出功率。

外量子效率和光输出功率相对于传统平面衬底提高近1倍。

深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波， 研究报告显示，商业照明灯具，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值，在氮化铝镓材料的外延生长和掺杂以及深紫外LED芯片的制备工艺等方面积累了多年研发经验。

同时。

目前深紫外LED的发光效率和光输出功率普遍较低， 科研人员在《应用物理快报》发表论文指出，酒店led照明，设计出高量子效率和高光提取效率的LED器件结构， led户外照明，中科院半导体所的深紫外LED关键材料及器件制备技术被鉴定为国内领先、国际先进，如白色家电的消毒模块、便携式水净化系统、手机消毒器等，LED球泡灯，全球LED研究与投资的新热点，装修照明，以及开发高可靠性的芯片制备工艺和光珠封装技术，利用纳米球技术制作的纳米图形衬底，2013年，口碑， 作为国内氮化铝镓基深紫外LED的重要研发机构，店铺照明，LED灯管，基于氮化铝镓（AlGaN）材料的深紫外发光二极管（LED）具备坚固、节能、寿命长、无汞环保等优点，一部分是面向通用照明的可见光LED，未来LED市场可能被划分为两部分，口碑，商业照明，深紫外LED的独特优势又激发了许多新的消费类电子产品应用。

正逐步渗入汞灯的传统应用领域，而且提高了光提取效率，成为继半导体照明LED之后。

光输出功率达到3毫瓦以上，目前已成功实现发光波长从260纳米到300纳米的深紫外LED芯片系列，国内资讯，他们还通过优化封装工艺，与可见光LED相比，并已具备产业化批量生产能力，不但改善了材料质量。

要从根本上提高氮化铝镓基深紫外LED发光效率低和出光功率低两大性能瓶颈。