国标委公布23项LED相关拟立项国家标准

文章来源:恒光电器

发布时间:2013-11-27

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7月29日，商业照明灯具，国家标准化管理委员会决定对2011年第一批拟立项国家标准项目公开征求意见。征求意见截止时间为2011年8月29日。

　　此次国标委公布的2011年第一批拟立项国家标准项目中，包括LED相关标准23项，办公照明，涉及外延芯片、封装及照明应用各个环节。一旦这些国标顺利实施，将对规范半导体照明市场、促进产业健康、快速发展，起到积极作用。

表1 国家标准化管理委员会公布的2011年第一批拟立项国家标准项目

项目名称 完成时间 主管部门 归口单位 起草单位 范围和主要技术内容

Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 中国科学院半导体研究所 本标准适用于利用高分辨X射线衍射对III氮化物外延片结晶质量进行精准测量.

Ⅲ族氮化物外延片晶格参数测试方法 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 中国科学院半导体研究所 本标准适用于利用高分辨X射线衍射对III氮化物外延片晶格常数进行精准测量.

LED发光用氮化镓 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 中国科学院半导体研究所 本规范规定了半导体发光二极管用氮化镓材外延材料的技术要求、检验规则和检验方法.完成本研究项目后,我们将提交的技术文件包括:LED用外延片材料物理性能数据库；LED用氮化物外延片测试方法；LED发光用氮化物材料性能规范.

LED外延芯片用磷化镓衬底规范 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 中国科学院半导体研究所 本标准规定了LED外延芯片用磷化镓衬底的分类、技术要求(电阻率、迁移率、载流子浓度要求；位错密度要求；晶向；衬底的几何形貌及外形尺寸要求等.)检验规则、标志、包装、运输及贮存.

LED外延芯片用砷化镓衬底规范 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 中国科学院半导体研究所、国瑞、协鑫硅材料等 本标准规定了LED外延芯片用砷化镓衬底的分类、技术要求(电阻率、迁移率、载流子浓度要求；位错密度要求；晶向；衬底的几何形貌及外形尺寸要求等.)检验规则、标志、包装、运输及贮存.

氮化镓外延片及衬底片 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 上海蓝光科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司 本标准规定了氮化镓外延片及衬底的技术要求、检验方法、检验规则、标志、包装运输和贮存等内容.本标准适用于采用金属有机气相外延方法得到的的N型氮化镓外延片和P型氮化镓外延片及采用氢化物气相外延得到的氮化镓衬底片.产品主要用于制作氮化镓半导体器件,其他类型的氮化镓外延片可参照执行.详细内容见附件.

氮化物LED外延片内量子效率测试方法 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 中国科学院半导体研究所 适用于氮化物半导体LED外延材料的内量子效率检测.  通过测量低温(10K)和室温下的PL发光积分强度确定外延片的内量子效率.确定测试的条件要求和设备系统的技术要求.

蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 协鑫光电科技(江苏)有限公司 本标准涉及用于氮化?生长、半导器件衬底等的高纯蓝宝石单晶单面抛光片,明确蓝宝石衬底片的几何参数测定方法

蓝宝石单晶衬底抛光片规范 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 协鑫光电科技(江苏)有限公司 本标准涉及用于氮化?生长、半导器件衬底等的高纯蓝宝石单晶单面抛光片,明确2inch、4inch、6inch蓝宝石衬底片的几何参数测定方法,参考面的加工方法、缺陷判定标准、包装、标示等

蓝宝石单晶晶锭 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 协鑫光电科技(江苏)有限公司 本标准涉及用于氮化?生长、半导器件衬底等的高纯蓝宝石单晶?,明确定?蓝宝石晶?的几何参数测定方法,参考面的加工方法、缺陷判定标准、包装、标示等

蓝宝石晶锭应力测试方法 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 协鑫光电科技(江苏)有限公司 本标准涉及用于氮化?生长、半导器件衬底等的高纯蓝宝石单晶单面抛光片,明确蓝宝石衬底片的几何参数测定方法

碳化硅单晶抛光片 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所 本标准规定了碳化硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存等.本标准适用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅单晶抛光片,产品规格为2英寸至4英寸的导电型和半绝缘性碳化硅单晶抛光片.本标准参照SEMI M55.1-0304及国外先进标准,对碳化硅衬底材料的外形尺寸、表面几何参数、晶面取向、晶片表面缺陷限度、微管密度、结晶质量和电阻率等主要技术指标都进行了要求,并规定了各种缺陷的定义及检测方法,适用于全国从事碳化硅晶片及其相关行业的所有企业和机构.

碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 2012 国家标准化管理委员会 全国半导体设备和材料标准化技术委员会 北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所 本标准规定了碳化硅单晶抛光片的微管和微管密度的定义、方法提要、一般要求、测试程序、分析结果的计算、精密度、质量保证和控制及检测报告等.本标准适用于4H晶型碳化硅和6H晶型碳化硅单晶抛光片、微管的径向尺寸在几微米至几十微米范围内的微管密度的测量.样品表面法线方向为<0001>方向,且其偏离角不应大于±8°.该方法使用正交偏光显微镜的透射光模式, 利用入射光线在微管周围处的折射系数差异来确定微管,从而计算出相应的微管密度.

LED用稀土氮化物红色荧光粉 2012 国家标准化管理委员会 全国稀土标准化技术委员会 有研稀土新材料股份有限公司 本标准适用于发光二极管用氮化物红色荧光粉,可用于显示、背光源或一般照明.主要技术内容包括,LED用氮化物红色荧光粉相关的名词术语及其定义、荧光粉的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存等内容.

LED用稀土硅酸盐荧光粉 2012 国家标准化管理委员会 全国稀土标准化技术委员会 大连路明发光科技股份有限公司 范围:用于LED的硅酸盐体系荧光粉,主要包括发射绿光、黄光、橙红色发光的各种结构形式的硅酸盐荧光粉.主要技术内容:用于LED的硅酸盐体系荧光粉标准以及相关检测试验方法:相对亮度、激发发射光谱性能、色品坐标等.