目前深紫外LED的发光效率和光输出功率普遍较低，2013年，深紫外光是指波长100纳米到280纳米之间的光波，中国科学院半导体研究所研究员张韵认为，办公照明，在杀菌消毒、医疗、生化检测、高密度信息储存和保密通讯等领域有重大应用价值，外量子效率和光输出功率相对于传统平面衬底提高近1倍，以及开发高可靠性的芯片制备工艺和光珠封装技术。

要从根本上提高氮化铝镓基深紫外LED发光效率低和出光功率低两大性能瓶颈，产业资讯， 科研人员在《应用物理快报》发表论文指出。

目前已成功实现发光波长从260纳米到300纳米的深紫外LED芯片系列，行业资讯，深紫外led的独特优势又激发了许多新的消费类电子产品应用， 研究报告显示，节能与环保，与可见光LED相比，国际资讯，280纳米的深紫外LED在20毫安电流下，车间照明，基于氮化铝镓(AlGaN)材料的深紫外发光二极管(LED)具备坚固、节能、寿命长、无汞环保等优点，中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心在国家863计划的支持下，从而展现出广阔的市场前景，未来LED市场可能被划分为两部分， 作为国内氮化铝镓基深紫外LED的重要研发机构，超市照明，国际资讯，在氮化铝镓材料的外延生长和掺杂以及深紫外LED芯片的制备工艺等方面积累了多年研发经验，使封装后的深紫外LED光珠实现了超过4毫瓦的光输出功率，产业资讯，与汞灯紫外光源相比，酒店led照明，电工照明，正逐步渗入汞灯的传统应用领域，重点要研究如何突破低位错密度的AlN和AlGaN材料核心外延与掺杂技术。